當(dāng)前位置：太陽(yáng)能電池片濕法設(shè)備主要技術(shù)特點(diǎn)
在太陽(yáng)能電池生產(chǎn)中，制絨是晶硅電池的第 一道工藝。工程師提到對(duì)于單晶硅來(lái)說(shuō)，制絨的目的就是延長(zhǎng) 光在電池表面的傳播路徑，從而提高太陽(yáng)能電池對(duì)光的吸收效率。單晶硅制絨的主要方法是用堿 （NaOH、KOH）對(duì)硅片表面進(jìn)行腐蝕。由于硅片的 內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同，各向異性的堿液制絨主要是使晶 向分布均勻的單晶硅表面形成類似“金字塔”狀的 絨面，有效地增強(qiáng)硅片對(duì)入射太陽(yáng)光的吸收，從而 提高光生電流密度。對(duì)于既可獲得低的表面反射 率，又有利于太陽(yáng)能電池的后續(xù)制作工藝的絨面， 應(yīng)該是金字塔大小均勻，單體尺寸在 2～10 μm 之間，相鄰金字塔之間沒(méi)有空隙，即覆蓋率達(dá)到 100%。理想質(zhì)量絨面的形成，受到了諸多因素的 影響，如硅片被腐蝕前的表面狀態(tài)、制絨液的組 成、各組分的含量、溫度、反應(yīng)時(shí)間等。而在工業(yè)生 產(chǎn)中，對(duì)這一工藝過(guò)程的影響因素更加復(fù)雜，例如 加工硅片的數(shù)量、醇類的揮發(fā)、反應(yīng)產(chǎn)物在溶液中 的積聚、制絨液中各組分的變化等。為了維持生產(chǎn) 良好的可重復(fù)性，并獲得高的生產(chǎn)效率。就要比較 透徹地了解金字塔絨面的形成機(jī)理，控制對(duì)制絨 過(guò)程中影響較大的因素，在較短的時(shí)間內(nèi)形成質(zhì) 量較好的金字塔絨面。
單晶制絨的工藝比較復(fù)雜，不同公司有各自 獨(dú)特的制絨方法。一般堿制絨有以下幾種方法： NaOH+IPA、NaOH+IPA+NaSiO3、NaOH+CH3CH2OH 等。一般使用到的化學(xué)添加劑有兩種，一種是 IPA（異丙醇），另一種是工業(yè)酒精。加入異丙醇 后，可以使反應(yīng)加快，主要是起消除氣泡的作用。 而對(duì)于加入工業(yè)酒精后，會(huì)改善硅片表面的質(zhì)量 和美觀。
在工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)中被普遍 接受的是 NaOH+IPA+NaSiO3 的 方 法 。 工 藝 要 求 NaSiO3 ∶ NaOH 在 1∶3.5 到 1∶3 之間，NaOH∶IPA 在 1∶6 左 右。NaOH 濃度要求在 2%～4%之間調(diào)整。在制絨 工藝中，溫度和溶液的比例是主要參數(shù)。時(shí)間是次 要的。保持工藝的穩(wěn)定對(duì)大規(guī)模的生產(chǎn)是至關(guān)重 要的。通常通過(guò)排液、補(bǔ)液的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。對(duì)于第 二種工藝方法來(lái)說(shuō)，制絨的最佳工作溫度在 83 ℃ ±1 ℃。溫度太低和 IPA 比例大小都不能制成絨 面，或者說(shuō)在絨面形成之前硅片已經(jīng)消耗完。IPA 太多形不成絨面，它不能起調(diào)節(jié)晶向反應(yīng)速度的 作用。
太陽(yáng)能電池片濕法設(shè)備主要技術(shù)特點(diǎn)：1.獨(dú)特的雙槽制絨工藝槽設(shè)計(jì)；2.分立式加熱系統(tǒng)保證溶液均勻性并降低運(yùn)營(yíng)成本；3.多通道注入結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)制絨工藝槽溶液均勻性控制；4.機(jī)械傳動(dòng)特殊設(shè)計(jì)及人性化安全保證；5.適應(yīng)性強(qiáng)的工藝過(guò)程控制。